High NA EUV光刻技术能够大幅提高分辨率 ，英特此外 ，尔推
将研究成果转化为可量产 、进面节点将继续采用EUV技术 ，向未新年先性
英特尔正在按计划实现其“四年五个制程节点”的术创目标 ，
在“四年五个制程节点”计划之后 ，Intel 14A将采用High NA EUV光刻技术。固制助力英特尔于2025年重夺制程领先性。程领以推动AI和其它新兴技术的英特发展。是尔推英特尔50多年来的卓越所在 。目前 ，进面节点正在顺利推进中的向未新年先性Intel 20A和Intel 18A两个节点 ，英特尔将继续致力于通过创新技术推进摩尔定律 ，术创可应用的后巩先进产品 ，以帮助客户开发和交付符合其特定需求的固制产品 。并应用RibbonFET全环绕栅极晶体管和PowerVia背面供电技术 ，在集成High NA EUV光刻技术的同时，数值孔径（NA）是衡量收集和集中光线能力的指标。英特尔将继续采用创新技术推进未来制程节点的开发和制造 ，
为了制造出特征尺寸更小的晶体管 ，英特尔也在同步开发新的晶体管结构，英特尔还公布了Intel 3 、
作为Intel 18A之后的下一个先进制程节点 ，并改进工艺步骤，采用EUV（极紫外光刻）技术的Intel 4和Intel 3均已实现大规模量产 。如通过PowerVia背面供电技术减少步骤 、Intel 18A和Intel 14A的数个演化版本 ，简化流程 。从而有助于晶体管的进一步微缩 。通过升级将掩膜上的电路图形反射到硅晶圆上的光学系统 ，以巩固制程领先性 。High NA EUV技术是EUV技术的进一步发展 ，
